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首頁 > 產(chǎn)品中心 > 常壓（大氣）等離子處理設(shè)備 > 常壓（大氣）寬幅等離子設(shè)備

常壓（大氣）寬幅等離子設(shè)備

產(chǎn)品優(yōu)勢：
1、更優(yōu)良的處理效果：放電面值增加至50mm，對比一般常壓等離子清洗機可提升3~5倍的清洗效果。
2、更快速的處理速度：最高可達8M/min。
3、更低的過程處理溫度：過程溫度最低≤40oC，有效保護產(chǎn)品，不產(chǎn)生熱損傷。
4、更穩(wěn)定的過程控制：等離子放電更穩(wěn)定，不產(chǎn)生電弧，不產(chǎn)生電損傷。
5、更低廉的使用成本：使用氮氣（N?）和壓縮空氣（CDA）作為工藝氣體，制氮機可供應(yīng)，維護費用低。
6、更少的微塵產(chǎn)生：獨特的電極結(jié)構(gòu)和處理方式，微塵（Particle）產(chǎn)生最小化

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技術(shù)參數(shù) 相關(guān)產(chǎn)品

編號	內(nèi)容	規(guī)格參數(shù)
1	類型	寬幅等離子體清洗設(shè)備 Plasma Cleaning
2	型號	A款/M款/D款：100~3270mm（處理寬幅）
3	構(gòu)成	等離子電源、UT氣體控制單元、等離子電極單元
4	工藝氣體	N2 + CDA
5	處理間距	3~12mm
6	處理溫度	≤50oC
7	水滴角	≤10°(100mm/s)
產(chǎn)品優(yōu)勢： 1、更優(yōu)良的處理效果：放電面值增加至50mm，對比一般常壓等離子清洗機可提升3~5倍的清洗效果。 2、更快速的處理速度：最高可達8M/min。 3、更低的過程處理溫度：過程溫度最低≤40oC，有效保護產(chǎn)品，不產(chǎn)生熱損傷。 4、更穩(wěn)定的過程控制：等離子放電更穩(wěn)定，不產(chǎn)生電弧，不產(chǎn)生電損傷。 5、更低廉的使用成本：使用氮氣（N?）和壓縮空氣（CDA）作為工藝氣體，制氮機可供應(yīng)，維護費用低。 6、更少的微塵產(chǎn)生：獨特的電極結(jié)構(gòu)和處理方式，微塵（Particle）產(chǎn)生最小化產(chǎn)品應(yīng)用： 1、LCD(2G~11.5G)，OLED生產(chǎn)制程中廣泛使用。 2、TP（觸摸屏）生產(chǎn)制程中廣泛使用。 3、AF鍍膜（防指紋），AS鍍膜（防刮），AG鍍膜（防炫），AR鍍膜（增透）前處理。 4、顯示屏全貼合前處理、顯示屏ACF壓合前處理。 5、金屬薄膜（Cu、Al等）、非金屬薄膜（PET、PI等）卷材涂覆、粘接前表面處理。